Caracterización fotoeléctrica de transistores de grafeno de efecto campo con una capa de óxido de aluminio
Professor Advisor
dc.contributor.advisor
Dulić, Diana
Author
dc.contributor.author
Rojas Castiglione, Tomás
Associate professor
dc.contributor.other
Foa Torres, Luis
Associate professor
dc.contributor.other
Díaz Quezada, Marcos
Admission date
dc.date.accessioned
2024-08-08T17:53:43Z
Available date
dc.date.available
2024-08-08T17:53:43Z
Publication date
dc.date.issued
2024
Identifier
dc.identifier.other
10.58011/dv6t-cd43
Identifier
dc.identifier.uri
https://repositorio.uchile.cl/handle/2250/200056
Abstract
dc.description.abstract
Los fotodetectores desempeñan un papel crucial en nuestra vida cotidiana y en aplicaciones científicas. La investigación en física fundamental es esencial para mejorar las características de estos dispositivos en busca de mayores eficiencias y una cobertura más amplia del espectro electromagnético.
Con el auge de los materiales 2D, se ha despertado un gran interés en sus propiedades fotoeléctricas. Aunque el grafeno, como material insignia de los materiales 2D, ha sido explorado en optoelectrónica, aún no ha alcanzado el nivel necesario para considerarse en producción industrial con aplicaciones fotónicas.
Este trabajo se centra en el estudio de las propiedades optoelectrónicas de dos transistores de efecto campo de grafeno. Se analiza su capacidad de detección para distintas longitudes de onda, potencias incidentes y voltajes de gate. Los resultados se destacan, y se proponen modelos para explicar los fenómenos observados.
es_ES
Lenguage
dc.language.iso
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Publisher
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Universidad de Chile
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Type of license
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Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States