Caracterización fotoeléctrica de transistores de grafeno de efecto campo con una capa de óxido de aluminio

Abstract

Los fotodetectores desempeñan un papel crucial en nuestra vida cotidiana y en aplicaciones científicas. La investigación en física fundamental es esencial para mejorar las características de estos dispositivos en busca de mayores eficiencias y una cobertura más amplia del espectro electromagnético.

Con el auge de los materiales 2D, se ha despertado un gran interés en sus propiedades fotoeléctricas. Aunque el grafeno, como material insignia de los materiales 2D, ha sido explorado en optoelectrónica, aún no ha alcanzado el nivel necesario para considerarse en producción industrial con aplicaciones fotónicas.

Este trabajo se centra en el estudio de las propiedades optoelectrónicas de dos transistores de efecto campo de grafeno. Se analiza su capacidad de detección para distintas longitudes de onda, potencias incidentes y voltajes de gate. Los resultados se destacan, y se proponen modelos para explicar los fenómenos observados.