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Ab initio study of Ti3Si0.5Ge0.5C2 under pressure

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IconOrellana W-Ab-initio.pdf (1.002Mb)
Fecha de publicación
2006-09
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Cómo citar
Orellana, W.
Cómo citar
Ab initio study of Ti3Si0.5Ge0.5C2 under pressure
.
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Autor
  • Orellana, W.;
  • Gutiérrez, G.;
  • Menéndez Proupin, Eduardo;
  • Rogan Castillo, José;
  • García, G.;
  • Manoun, B.;
  • Saxena, S.;
Resumen/Reseña
Structural and electronic properties of Ti3Si0.5Ge0.5C2 under pressure up to 80 GPa are studied by means of first principles calculation based on density functional theory (DFT). The total energy, lattice parameters and atomic positions are employed to investigate the structural changes under pressure. Within the local density approximation (LDA) used in the calculation, the obtained equilibrium volume and the bulk modulus are in good agreement with the experimental values. The compression is almost isotropic up to 15 GPa, but above this pressure a certain degree of anisotropy appears. The calculated electronic properties reveals that the band structure and the density of states (DOS) do not present big changes under pressure. However, it is noticeable a decrease of the DOS at the Fermi level under pressure, which could result in a reduction of the electrical conductivity at high pressure.
Identificador
URI: https://repositorio.uchile.cl/handle/2250/118664
ISSN: 0022-3697
Cita del ítem
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS Volume: 67 Issue: 9-10 Special Issue: Sp. Iss. SI Pages: 2149-2153 Published: SEP-OCT 2006
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